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基于光的技术将在能源供应的未来发挥至关重要的作用。
Photovoltaics从Pocket Calculators推动了很长的路要走 - 并正在展望光明的未来。可以说，光伏电池将在我们的能量转移到无碳的未来发挥主演作用。
在Metrohm，我们希望为尽量减少碳足迹并为后代提供环境和自然资源来贡献。
总共80％安装了所有的太阳能电池，由硅，所谓的第一代太阳能电池制成。每种单晶和多晶硅晶片通过湿化学蚀刻步骤，得到所需的表面性质以增强轻捕集。这里的Metrohm发挥作用。
纹理浴中的总硅含量也可以通过电位滴定来确定。使用NaOH溶液的酸碱滴定进行总和和单酸浓度和溶解硅的测定。
Solitrode HF是电位滴定的合适pH值玻璃传感器。它在含hf的变形浴中具有非凡的抵抗力。
>了解更多关于Solitrode HF
或者，可以用MetroHM的氟化物选择电极（F-ISE）测定总氟化物浓度。总氟化物含量与六氟硅酸盐中结合的氟化物之间的差异提供了氢氟酸含量。硝酸的含量可以从总酸含量计算。>了解有关F-ISE的更多信息
薄膜或第二代太阳能电池是通过将极薄的光敏材料层沉积在各种低成本衬底(如塑料或玻璃)上来生产的。这种想法并不新鲜:早在20世纪80年代，非晶硅(a-Si)太阳能电池就为我们的袖珍计算器和手表提供了动力。a-Si的低效率可以通过制造的方便性、低成本和在炎热气候地区运行所需的热阻来弥补。
通过与半导体硫化镉（Cds）接合的薄层铜铟（CIS）薄层实现优异的光吸收，以产生有效的异质结。后者使用醋酸镉和硫脲，源于原位硫化物产生的湿化学过程中沉积。第一，CD.2＋被吸附在表面上。随后，在硫脲分解期间释放的硫化物与吸附的CD反应2＋离子。使用伏安法精确控制浴中镉和硫脲浓度。
还有更多：除了CDS异质结外，伏安法可用于确定用于在钼上用于电沉积的电镀浴中的金属溶液和添加剂的浓度。
通过将一些镓替换为铟，产生铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池。CIGS于2008年通过了20％的效率里程碑。CIGS细胞是最重要的薄膜太阳能电池，由硫化物薄层（CDS）组成，其形成P-N异质结Cu（Inga）Se2。
铜（inga）se2通过从低浓金属盐溶液中的一步电沉积在钼上的一步电沉积来制备薄膜。电解质中的铟，硒和铜通过滴汞电极（DME）的极谱法测定。对于镓分析，使用悬挂汞滴电极（HMDE）的阳极剥离。如顺序共同章节所述，伏安还控制CDS沉积的CD和硫脲含量。
了解更多关于伏安法的知识
必须监测晶体硅的纹理化过程中的过程步骤并不重要 - 蚀刻，洗涤，漂洗或亲水 - ，标准参数pH值和电导率对于表面形态至关重要，并且总是必须被监测。即使在最敌对的HF环境中，自定义的ProcessLab Analyzer也会为您执行此操作。除了这些直接测量外，ProcessLab还允许您监测所有碱性和酸纹理，洗涤和清洁步骤，冲洗以及亲水化。
硅太阳能电池需要纹理的前表面，以降低由于反射而降低能量损失。纹理浴中的表面活性剂（例如，十二烷基硫酸钠或十六烷基三甲基溴化物）对表面形态和涂层厚度具有很大的影响，这就是其浓度必须严格控制的原因。Metrohm为阴离子和阳离子表面活性剂提供了几种电位测定方法。
硅片表面碱化变形的湿化学工艺步骤至关重要。近红外光谱技术可以实时监测氢氧化物、硅酸盐和2-丙醇的浴液浓度。该方法非常可靠，快速，不需要耗材。